半导体封装材料

Copper Pillar Plating

 
 
 

晶圆级封装的生产证明

北京PK赛车网站电子(DuPont Electronics)拥有成熟的高速和低速电镀金属化工艺 & 成像的铜柱产品满足当今细间距铜柱的严格要求, Cu stud, 铜柱工艺用于先进的晶片级封装结构, from flip-chip processes, to 2.5D、3D一体化方案. 其添加剂和高纯度配方解决了广泛的工艺窗口, 并与我们的underbump metallization (UBM)和锡银盖化学物质完美协调,提供无缝解决方案.

DuPont Electronics & 成像镀铜化学的突出特点包括:

  • High plating speed
  • 优秀的厚度均匀性
  • Pure copper deposition
  • Tunable shape
 
 
 
  • 铜柱提供了一个更细的间距替代焊料凸点,以形成芯片和封装衬底之间的互连, interposer, 或3D集成方案中的其他芯片. 它们是利用光刻和沉积工艺在凹凸金属化(UBM)之上制作的,并被锡-银覆盖以形成电子互连.

  • 由于沥青需求持续减少, 铜柱可以实现高密度设计,同时保持一致的凹凸高度. 下一代技术将采用10 ~ 30 μ m的矿柱. DuPont Electronics & 成像公司的镀铜化学物质被设计成超纯和平衡的,以在界面上提供最佳的金属间化合物层,并在一致的高度上提供无空洞的柱子.

  • 北京PK赛车网站为半导体行业提供完整的包装和组装材料组合. Click here 观看我们全面服务的短片.

半导体封装材料

  • Copper Pillar Plating

    Copper Pillar Plating

    我们的生产证明的铜柱配方工作与我们的碰撞下金属化(UBM)和锡银盖化学品的完美协调, 为您的铜柱需求提供无缝解决方案.

  • 铜层重新分配

    铜层重新分配

    DuPont Electronics & 再分布层(rdl)的铜化学成像技术非常适合当今对晶圆级封装应用的高密度要求.

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  • Solder Bump Plating

    Solder Bump Plating

    北京PK赛车的获奖产品Solderon™BP电镀化学品是所有晶圆碰撞应用中锡铅合金的可靠替代品.

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    铟电镀化学设计用于先进的晶圆级封装的低温焊锡电镀工艺,用于新兴的对温度敏感的应用.

    hvm证明的锡银镀化学无铅, 细间距焊接凸点应用,具有行业领先的工艺多功能性.
     
     
     
  • Under Bump Metallization

    Under Bump Metallization

    我们提供经过生产验证的电镀镍化学,以满足各种UBM工艺需求

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  • Bump Plating Photoresists

    Bump Plating Photoresists

    北京PK赛车提供正色调和负色调光刻胶,以满足当今半导体先进封装应用的紧凑音高和不同的拓扑结构.

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    用于3DIC的晶片级封装干膜光刻胶解决方案, fan out, bumping, 铜柱和再分配应用.

    北京PK赛车提供液体凹凸电镀光刻胶, 以及相关的附属物, 这非常适合使用单旋涂层的晶圆级封装应用.
  • Through Silicon Via Copper

    Through Silicon Via Copper

    在电镀大马士革铜方面的多年经验和成功帮助北京PK赛车网站将领先的TSV铜化学产品带入先进的包装市场.

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  • Packaging Dielectrics

    Packaging Dielectrics

    北京PK赛车的包装电介质配方具有机械性能, high resolution, low-temp curing, easy processes, 和卓越的可靠性需要保护您的先进WLP.

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