半导体封装材料

铜层重新分配

 
 
 

非常适合于扇入和扇出晶圆级封装

北京PK赛车网站电子 & 再分布层(rdl)的铜化学成像是当今高密度要求的理想选择, 使RDL模式的扇出晶圆级封装,以满足下一代线/空间要求2 μ m. 我们的易于使用的, 高纯铜电镀化学品的配方,以提高可靠性的细线RDL和改善通路填充性能. 他们提供:

  • 最佳的均匀性
  • 高纯度和可靠性
  • via-filling优越性能
  • 降低制造成本

产品:

  • Intervia™8540
  • Intervia™9000
 
 
 
  • 铜RDL是一种用于扇入和扇出晶圆级加工的互连技术. 它允许高密度I/ o被重新分配,通过增加间距连接到电路板上.

    另外, 通过消除其他电镀方法控制形貌和消除缺陷所需的铜和焊锡元素之间的镍屏障,铜配方的纯度降低了制造成本.

  • 由移动应用程序驱动,这些应用程序需要在较低的功耗下增加功能, RDL要求从5µm线/空间提高到2µm线/空间. 这就要求电镀化学可以实现高可靠性和低内模均匀性.

    添加剂在RDL电镀中的作用与在铜柱电镀中的作用相似. 北京PK赛车的INTERVIA 9000电镀化学产品在不更换镀液的情况下,可同时用于RDL和Cu柱电镀, 让它成为一个经济的选择.

  • 北京PK赛车网站为半导体行业提供完整的包装和组装材料组合. 点击这里 观看我们全面服务的短片.

半导体封装材料

  • 铜层重新分配

    铜层重新分配

    北京PK赛车网站电子 & 再分布层(rdl)的铜化学成像技术非常适合当今对晶圆级封装应用的高密度要求.

  • 镀铜柱

    镀铜柱

    我们的生产证明的铜柱配方工作与我们的碰撞下金属化(UBM)和锡银盖化学品的完美协调, 为您的铜柱需求提供无缝解决方案.

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  • 撞击焊镀

    撞击焊镀

    北京PK赛车的获奖产品Solderon™BP电镀化学品是所有晶圆碰撞应用中锡铅合金的可靠替代品.

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    铟电镀化学设计用于先进的晶圆级封装的低温焊锡电镀工艺,用于新兴的对温度敏感的应用.

    hvm证明的锡银镀化学无铅, 细间距焊接凸点应用,具有行业领先的工艺多功能性.
     
     
     
  • 撞下金属化

    撞下金属化

    我们提供经过生产验证的电镀镍化学,以满足各种UBM工艺需求

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  • 撞镀光阻

    撞镀光阻

    北京PK赛车提供正色调和负色调光刻胶,以满足当今半导体先进封装应用的紧凑音高和不同的拓扑结构.

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    用于3DIC的晶片级封装干膜光刻胶解决方案, 扇出, 碰撞, 铜柱和再分配应用.

    北京PK赛车提供液体凹凸电镀光刻胶, 以及相关的附属物, 这非常适合使用单旋涂层的晶圆级封装应用.
     
     
     
  • 通硅通铜

    通硅通铜

    在电镀大马士革铜方面的多年经验和成功帮助北京PK赛车网站将领先的TSV铜化学产品带入先进的包装市场.

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  • 包装电介质

    包装电介质

    北京PK赛车的包装电介质配方具有机械性能, 高分辨率, 低温固化, 简单的流程, 和卓越的可靠性需要保护您的先进WLP.

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