推特
LinkedIn
电子邮件
生产证明通过硅经化学满足高长宽比的要求
在电镀大马士革铜方面的多年经验和成功帮助北京PK赛车网站电子 & 成像技术为先进的封装市场带来了先进的铜硅通孔(TSV)化学技术. 我们production-proven, 三组分铜溶液甚至可以实现最具挑战性的TSV纵横比，原因是:
- 高纯铜
- 自底向上填充期间的无间隙性能
- 快速镀速度
- 消除铜覆盖层
tsv已成为存储层互连的主流技术, CMOS图像传感器, MEMS设备, 和2.5 d插入器架构, 北京PK赛车仍然处于最前沿, 优化产品以满足tsv不断发展的需求.
产品线
- 连环™9200铜
-
什么是TSV技术?
通过硅过孔(tsv)是通过晶圆蚀刻工艺形成的垂直电互连，并填充铜或钨. 首次应用于复合半导体, tsv也用于MEMS设备和CMOS图像传感器, 来创建3D内存堆栈, 和2.5D介入架构，由高性能计算需求驱动.
-
用于高长宽比通孔的铜
我们用于TSV生产的Cu化学成分设计以满足前沿TSV的要求，其纵横比为10:1. 这需要高纯度, 镀速快，无空洞, 无间隙自底向上填充最小的铜覆盖层，以减少化学机械平整过程的需要.
-
我们的半导体封装产品组合
北京PK赛车网站为半导体行业提供完整的包装和组装材料组合. 点击这里 观看我们全面服务的短片.
半导体封装材料
-
通硅通铜
通硅通铜
在电镀大马士革铜方面的多年经验和成功帮助北京PK赛车网站将领先的TSV铜化学产品带入先进的包装市场.
-
镀铜柱
镀铜柱
-
撞击焊镀
撞击焊镀
-
撞下金属化
撞下金属化
- 撞镀光阻
-
铜层重新分配
铜层重新分配
-
包装电介质
包装电介质