生产证明通过硅经化学满足高长宽比的要求

在电镀大马士革铜方面的多年经验和成功帮助北京PK赛车网站电子 & 成像技术为先进的封装市场带来了先进的铜硅通孔(TSV)化学技术. 我们production-proven, 三组分铜溶液甚至可以实现最具挑战性的TSV纵横比,原因是:

  • 高纯铜
  • 自底向上填充期间的无间隙性能
  • 快速镀速度
  • 消除铜覆盖层

tsv已成为存储层互连的主流技术, CMOS图像传感器, MEMS设备, 和2.5 d插入器架构, 北京PK赛车仍然处于最前沿, 优化产品以满足tsv不断发展的需求.

产品线

  • 连环™9200铜
 
 
 
  • 通过硅过孔(tsv)是通过晶圆蚀刻工艺形成的垂直电互连,并填充铜或钨. 首次应用于复合半导体, tsv也用于MEMS设备和CMOS图像传感器, 来创建3D内存堆栈, 和2.5D介入架构,由高性能计算需求驱动.

  • 我们用于TSV生产的Cu化学成分设计以满足前沿TSV的要求,其纵横比为10:1. 这需要高纯度, 镀速快,无空洞, 无间隙自底向上填充最小的铜覆盖层,以减少化学机械平整过程的需要.

  • 北京PK赛车网站为半导体行业提供完整的包装和组装材料组合. 点击这里 观看我们全面服务的短片.

半导体封装材料

  • 通硅通铜

    通硅通铜

    在电镀大马士革铜方面的多年经验和成功帮助北京PK赛车网站将领先的TSV铜化学产品带入先进的包装市场.

  • 镀铜柱

    镀铜柱

    我们的生产证明的铜柱配方工作与我们的碰撞下金属化(UBM)和锡银盖化学品的完美协调, 为您的铜柱需求提供无缝解决方案.

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  • 撞击焊镀

    撞击焊镀

    北京PK赛车的获奖产品Solderon™BP电镀化学品是所有晶圆碰撞应用中锡铅合金的可靠替代品.

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    铟电镀化学设计用于先进的晶圆级封装的低温焊锡电镀工艺,用于新兴的对温度敏感的应用.

    hvm证明的锡银镀化学无铅, 细间距焊接凸点应用,具有行业领先的工艺多功能性.
     
     
     
  • 撞下金属化

    撞下金属化

    我们提供经过生产验证的电镀镍化学,以满足各种UBM工艺需求

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  • 撞镀光阻

    撞镀光阻

    北京PK赛车提供正色调和负色调光刻胶,以满足当今半导体先进封装应用的紧凑音高和不同的拓扑结构.

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    用于3DIC的晶片级封装干膜光刻胶解决方案, 扇出, 碰撞, 铜柱和再分配应用.

    北京PK赛车提供液体凹凸电镀光刻胶, 以及相关的附属物, 这非常适合使用单旋涂层的晶圆级封装应用.
     
     
     
  • 铜层重新分配

    铜层重新分配

    北京PK赛车网站电子 & 再分布层(rdl)的铜化学成像技术非常适合当今对晶圆级封装应用的高密度要求.

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  • 包装电介质

    包装电介质

    北京PK赛车的包装电介质配方具有机械性能, 高分辨率, 低温固化, 简单的流程, 和卓越的可靠性需要保护您的先进WLP.

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